类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：SIPMOS®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：154 毫欧 @ 8.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 21µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：444pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：TO-263
其它名称：SPB10N10LGINCT